試驗(yàn)設(shè)備

局部放電測試系統(tǒng)主要由以下幾部分組成：

試驗(yàn)電源

要求：必須是中頻（通常100-400Hz）或工頻（50/60Hz）的無局放電源，以提供足夠高的試驗(yàn)電壓而不被背景干擾淹沒。

類型：

中頻發(fā)電機(jī)組（MFC）：最傳統(tǒng)、最可靠的方式，由電動機(jī)驅(qū)動中頻發(fā)電機(jī)產(chǎn)生正弦波。容量大、波形好，但體積大、成本高。

電子式變頻電源（AC/DC/AC逆變器）：現(xiàn)代主流，通過電力電子技術(shù)將工頻轉(zhuǎn)換為中頻。體積小、重量輕、頻率可調(diào)，但對設(shè)計制造要求高，需確保其自身無局放。

串聯(lián)諧振系統(tǒng)：對于大容量變壓器，可配合電抗器使用，降低對電源容量的要求。

耦合電容器：并聯(lián)在試品兩端，為局放脈沖提供低阻抗通道，將其耦合到檢測阻抗上。其自身的局放水平必須遠(yuǎn)低于變壓器要求值。

檢測阻抗（檢測單元）：連接在耦合電容器的接地端，是一個無感電阻或RLC電路，用于拾取局放脈沖信號并將其轉(zhuǎn)換為電壓信號。

局放測量儀（PD Analyzer）

核心設(shè)備，接收來自檢測阻抗的信號。

關(guān)鍵功能：

濾波與放大：從強(qiáng)烈的背景噪聲中提取微弱的局放信號。

顯示與測量：顯示局放脈沖的波形、幅值（pC）、相位（φ）以及放電次數(shù)（N）。

圖譜分析：現(xiàn)代數(shù)字式局放儀能顯示φ-q-n圖譜（相位-放電量-放電次數(shù)），幫助判斷放電類型（如內(nèi)部放電、表面放電、電暈放電）。

必須定期校準(zhǔn)。

校準(zhǔn)器：在試驗(yàn)前和試驗(yàn)后，用于向變壓器端子注入已知電荷量的標(biāo)準(zhǔn)脈沖，以校準(zhǔn)整個測量系統(tǒng)的視在放電量（pC）。這是確保測量結(jié)果準(zhǔn)確可比的關(guān)鍵步驟。

屏蔽與接地系統(tǒng)：

屏蔽室/屏蔽帳篷：為排除空間電磁干擾，整個試驗(yàn)回路（變壓器、電源、測量線）應(yīng)在金屬屏蔽室內(nèi)進(jìn)行。

單點(diǎn)接地：所有設(shè)備必須在一點(diǎn)接地，形成等電位，防止地環(huán)流引入干擾。

試驗(yàn)方法（步驟與要點(diǎn)）

試驗(yàn)通常在變壓器制造完成、例行試驗(yàn)時進(jìn)行，也用于安裝后的交接試驗(yàn)或故障診斷。

基本試驗(yàn)電路：通常采用并聯(lián)接法，耦合電容器與試品并聯(lián)，檢測阻抗串接在耦合電容接地端。

主要試驗(yàn)步驟：

準(zhǔn)備工作：

變壓器本體清潔、干燥，環(huán)境濕度符合要求（通常<85%）。

布置好所有設(shè)備，連接線路應(yīng)短而牢固，使用同軸屏蔽電纜。

搭建好屏蔽環(huán)境，并確保可靠的單點(diǎn)接地。

試驗(yàn)區(qū)域設(shè)置安全圍欄和警示標(biāo)志。

系統(tǒng)校準(zhǔn)：

將校準(zhǔn)器并聯(lián)在變壓器高壓端子與地之間。

向系統(tǒng)注入已知電荷量（如100pC）的標(biāo)準(zhǔn)方波脈沖。

調(diào)節(jié)局放儀的刻度系數(shù)，使屏幕顯示讀數(shù)與注入量一致。記錄該刻度系數(shù)。

背景噪聲測量：

在不施加試驗(yàn)電壓或施加很低電壓（遠(yuǎn)低于起始電壓）時，測量并記錄背景噪聲水平。通常要求背景噪聲<5 pC或低于允許局放量的50%。

升壓與預(yù)加壓：

以平穩(wěn)的速度將電壓升至1.8倍額定相電壓（Um） 或技術(shù)協(xié)議規(guī)定的預(yù)加電壓值。

保持此電壓 60秒。此過程旨在“活化”可能存在的絕緣缺陷，使其在后面的測量電壓下更容易被發(fā)現(xiàn)。

降壓至測量電壓并保持：

將電壓降至 1.5倍額定相電壓（Um） 或技術(shù)協(xié)議規(guī)定的局放測量電壓（通常為 1.3-1.7倍額定電壓）。

保持此電壓至少30秒，同時進(jìn)行局放測量。這是核心測量階段。

關(guān)鍵記錄：在此電壓下，讀取并記錄穩(wěn)定的最大視在放電量（pC）。

降壓與復(fù)校：

將電壓降至零，斷開電源。

再次進(jìn)行系統(tǒng)校準(zhǔn)，驗(yàn)證測量回路的刻度系數(shù)未發(fā)生變化（變化應(yīng)在±10%以內(nèi)），否則本次試驗(yàn)無效。

數(shù)據(jù)記錄與圖譜分析：

記錄試驗(yàn)電壓、背景噪聲、測量電壓下的局放量。

分析φ-q-n圖譜，判斷放電類型和可能位置。